半导体硅片
半导体硅片
在IC芯片制造领域中,等离子体处理技术已是一种不可替代的成熟工艺,不论在芯片源离子的注入,还是晶元的镀膜,亦或是我们的低温等离子体表面处理设备所能达到的:在晶元表面去除氧化膜、有机物、去掩膜等超净化处理及表面活化提高晶元表面浸润性。
引线框架的表面处理
引线框架的表面处理
微电子封装领域采用引线框架的塑封形式,仍占到80%以上,其主要采用导热性、导电性、加工性能良好的铜合金材料作为引线框架,铜的氧化物与其它一些有机污染物会造成密封模塑与铜引线框架的分层,造成封装后密封性能变差与慢性渗气现象,同时也会影响芯片的粘接和引线键合质量,确保引线框架的超洁净是保证封装可靠性与良率的关键,经等离子体处理可达到引线框架表面超净化和活化的效果,成品良率比传统的湿法清洗会极大的提高,并且免除了废水排放,降低化学药水采购成本。
COB/COG/COF
COB/COG/COF
随着智能手机的飞速发展,人们对手机摄像头像素的要求越来越高,如今用传统的CSP封装工艺制造的手机摄像模组像素已达不到人们的需求,而用COB/COG/COF封装工艺制造的手机摄像模组已被大量的运用到了现在的千万像素的手机中,但其制造的良率因其工艺特性往往只有85%左右,而造成的手机良率不高的原因主要在于离心清洗机和超声波清洗做不到高洁净度的清洗holder及Pad表面污染物,致使holder与IR粘接力不高及bonding不良的问题,经等离子体处理后能超洁净的去除holder上的有机污染物和活化基材,使其与IR粘接力能提高2~3倍,也能去除Pad表面的氧化物并粗化表面,极大的提升了banding的一次成功率。